Una pantalla IGZO es cualquier panel de visualización que utiliza óxido de indio, galio, zinc o IGZO como material semiconductor primario en su transistor de película delgada o TFT. Por lo tanto, no es una tecnología de pantalla, sino una tecnología de plano posterior específica para conducir y abordar componentes transmisores o emisores de un panel en particular.
Algunos de los ejemplos notables de una tecnología de pantalla incluyen tecnologías LCD como la conmutación en plano o IPS LCD y torcida nematic o TN LCD, así como la tecnología orgánica de diodos emisores de luz o OLED, y la tecnología MicroLED. Por otro lado, hay tres tecnologías principales de backplane: IGZO TFT, silicio amorfo o a-Si TFT, y polisilicio de baja temperatura o LTPS TFT.
Comprender los pros y los contras de la pantalla IGZO
A continuación se muestran las ventajas y aplicaciones de la tecnología de placa base basada en óxido de indio galio y zinc:
* Tenga en cuenta que a-Si-TFT no es transparente, pero se puede estirar lo suficientemente delgado como para permitir que pase una cantidad adecuada de luz. Un IGZO-TFT es naturalmente transparente, lo que se traduce en ventajas específicas, como paneles de visualización más brillantes y eficiencia energética, menor necesidad de retroiluminación en el caso de las pantallas LCD y menor salida de brillo en pantallas OLED y LED.
* Otra ventaja de la pantalla IGZO es que tiene de 30 a 50 veces más movilidad de electrones que la pantalla a-Si. Un mejor flujo de electrones significa resoluciones más altas y un tiempo de respuesta de píxeles más rápido para permitir la fabricación de paneles más pequeños con alta densidad de píxeles. Los prototipos anteriores que usaban óxido de indio galio y zinc presentaban un panel de 6 pulgadas a 2560×1600 píxeles o 498 píxeles por pulgada.
* Tenga en cuenta que la transparencia y una mejor movilidad de electrones también significan que estas pantallas son más eficientes en energía que las basadas en silicio amorfo. Además, tiene una corriente de fuga más baja que el polisilicio amorfo y de baja temperatura TFT, lo que le permite retener un estado de píxel activo durante más tiempo, especialmente cuando se muestran imágenes fijas, como fotografías y documentos.
* Un óxido de indio galio y zinc es también un tipo intermitente de semiconductor. No necesita accionamiento continuo. Por lo tanto, en los paneles táctiles, otra ventaja es que es más sensible que a-Si y LTPS. Puede imitar la entrada de escritura natural porque puede recoger líneas tan sensibles como la punta del bolígrafo. Escribir en este panel con un lápiz óptico tendría una sensación más cercana como en el papel.
Las siguientes son las desventajas y limitaciones de la tecnología de backplane basada en óxido de indio galio y zinc:
• Tenga en cuenta que el óxido de indio galio y zinc es un óxido metálico. La alta reactividad al oxígeno puede dar lugar a una sensibilidad a muy baja tensión. Por lo tanto, debido a la posible oxidación, este semiconductor puede envejecer más rápido que a-Si y LTPS, como se evidencia por su sensibilidad de voltaje decreciente o capacidad de responder a la aplicación de voltaje.
• La fabricación de pantallas IGZO también requiere el uso de materiales de tierras raras. Más específicamente, el indio y el galio son raros. Es costoso extraerlos de su punto de origen y adquirirlos de los proveedores. Este inconveniente introduce riesgos de coste y suministro para los fabricantes de paneles de visualización y dispositivos electrónicos de consumo.
* Otra desventaja es que producir pantallas basadas en este semiconductor es más complicado que fabricar paneles de pantalla TFT a-Si. El desafío actual para la producción en masa de óxido de indio galio y zinc es el método de síntesis pertinente que utiliza la Deposición por láser pulsado o DLP. Sin embargo, el PLD requiere un equipo costoso y un tiempo más largo. Estos requisitos pueden obstaculizar la producción a gran escala.
* También vale la pena mencionar que las pantallas LTPS tienen ventajas clave sobre las pantallas IGZO y las pantallas a-Si. Más específicamente, tiene un flujo de electrones mejor y más rápido, permite la producción de pantallas de pequeño tamaño con alta densidad de píxeles y un consumo de energía más eficiente.
MÁS LECTURAS Y REFERENCIAS
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