Un écran IGZO est un panneau d’affichage qui utilise de l’oxyde d’indium-gallium-zinc ou de l’IGZO comme matériau semi-conducteur primaire dans son transistor à couches minces ou TFT. Par conséquent, il ne s’agit pas d’une technologie d’affichage, mais plutôt d’une technologie de fond de panier spécifique pour piloter et traiter les composants transmissifs ou émissifs d’un panneau particulier.
Parmi les exemples notables de technologie d’affichage, on peut citer les technologies LCD telles que la commutation dans le plan ou l’écran LCD IPS et l’écran LCD nématique torsadé ou TN, ainsi que la technologie à diode électroluminescente organique ou la technologie OLED et la technologie MicroLED. D’autre part, il existe trois principales technologies de fond de panier: le TFT IGZO, le TFT en silicium amorphe ou a-Si et le TFT en silicium polycristallin à basse température ou LTPS.
Comprendre les avantages et les inconvénients de l’écran IGZO
Voici les avantages et les applications de la technologie de fond de panier à base d’oxyde de zinc d’indium et de gallium:
• Notez que l’a-Si-TFT n’est pas transparent mais peut être étiré suffisamment mince pour laisser passer une quantité suffisante de lumière. Un IGZO-TFT est naturellement transparent, ce qui se traduit par des avantages spécifiques tels que des panneaux d’affichage plus lumineux et une efficacité énergétique, un besoin réduit de rétroéclairage dans le cas des écrans LCD et une luminosité réduite dans les écrans OLED et LED.
• Notez que la transparence et une meilleure mobilité des électrons signifient également que ces écrans sont plus économes en énergie que ceux à base de silicium amorphe. De plus, il présente un courant de fuite inférieur à celui des TFT en silicium polycristallin amorphe et à basse température, ce qui lui permet de conserver un état de pixel actif plus longtemps, en particulier lors de l’affichage d’images fixes telles que des photographies et des documents.
Voici les inconvénients et les limites de la technologie de fond de panier à base d’oxyde de zinc d’indium-gallium:
• Notez que l’oxyde de zinc d’indium-gallium est un oxyde métallique. Une réactivité élevée à l’oxygène peut entraîner une très faible sensibilité à la tension. Ainsi, en raison d’une éventuelle oxydation, ce semi-conducteur peut vieillir plus rapidement que a-Si et LTPS, comme en témoigne sa sensibilité en tension décroissante ou sa capacité à réagir à l’application de la tension.
• La fabrication d’écrans IGZO nécessite également l’utilisation de matériaux de terres rares. Plus précisément, l’indium et le gallium sont rares. Ils sont coûteux à extraire de leur point d’origine et à se procurer auprès des fournisseurs. Cet inconvénient présente des risques de coût et d’approvisionnement pour les fabricants de panneaux d’affichage et d’appareils électroniques grand public.
AUTRES LECTURES ET RÉFÉRENCES
- Bo, X-Z., Yao, N., Shieh, S. R., Duffy, T. S., et. Sturm, J. C. 2002. « Films de Silicium Polycristallin à Gros Grains à Faible Densité de Défauts Intragranulaires par Cristallisation en Phase Solide à Basse Température Sans Oxyde Sous-Jacent. »Journal de Physique appliquée. 91(5): 2910-2915. DOI: 1063/1.1448395
- Bonheur, K. 2019. « Avantages et inconvénients de l’écran LCD LTPS. » Profolus. Disponible en ligne
- Bonheur, K. 2020. « Avantages et inconvénients de l’écran LCD LTPS. » Profolus. Disponible en ligne
- Chang, T-C., Tsao, Y-C., Chen, P-H., Tai, M-C., Huang, S-P., Su, W-C. et Chen, G-F. 2020. Transistors Flexibles À Couche Mince En Silicium Polycristallin À Basse Température. Les Matériaux Avancent Aujourd’Hui. 5: 100040. DOI: 1016/j. mtadv.2019.100040
- Miyata, Y., Furuta, M., Yoshioka, T. et Kawamura, T. 1992. « Transistors à Couches Minces en Silicium Polycristallin à Basse Température pour un Affichage à Cristaux Liquides à Grande Surface. »Journal Japonais de Physique Appliquée. 31 (P. 1, No 12B): 4559-4562. DOI: 1143/jjap.31.4559
