o laboratório Hoffman usa técnicas de sonda de varredura de alta resolução para entender e controlar as propriedades eletrônicas e magnéticas de materiais exóticos, como supercondutores de alto Tc à base de cobre e ferro, materiais topológicos e óxidos de vanádio. A microscopia de tunelamento de varredura foi concebida como uma ferramenta poderosa para imagens no espaço real de estados de elétrons com resolução atômica. Desenvolvemos novas técnicas de análise pelas quais o STM pode atingir a resolução de picoescala no espaço real e também pode sondar a estrutura momento-espaço dos elétrons por meio de imagens de interferência de quasipartículas. Essa informação simultânea do espaço real e do espaço momentum é um avanço crucial para a compreensão de materiais com inomogeneidade eletrônica em nanoescala, que podem surgir espontaneamente de doping químico ou fortes correlações, ou intencionalmente da fabricação do dispositivo. Nós tomamos as primeiras etapas para estender esta capacidade eletrônica da imagem latente para obter a informação da rotação, usando pontas antiferromagnéticas do cromo STM à imagem La1.4sr1.6Mn2O7
além da imagem latente passiva, O Laboratório de Hoffman está trabalhando em diversas técnicas para manipular ativamente as fases eletrônicas dos materiais no nanoscale. Por exemplo, usamos microscopia de força para induzir localmente a transição metal-isolador em VO2 e para reposicionar controlavelmente vórtices magnéticos individuais no supercondutor de alta Tc NdFeAsO1-xFx.O laboratório Hoffman também está trabalhando para o crescimento de novos filmes e interfaces usando epitaxia de feixe molecular-uma técnica que permite a deposição controlada de uma única camada atômica de cada vez. Nós crescemos uma única camada de FeSe em SrTiO3, que superconduz acima de 100k, em uma temperatura 10x mais alta do que o TC maioria. Os recursos de MBE e STM serão combinados e aprimorados, para controle de precisão atômica e compreensão de diversos materiais.
