w ramach konstrukcji kompletnego modelu Kim-Andersona dla gęstości krytycznej prądu, obliczyliśmy początkowe krzywe namagnesowania i pełne pętle histerezy nadprzewodników typu II zanurzonych w polu zewnętrznym H=Hdc+Haccos(wt), gdzie Hdc (≥0) jest polem biasu dc, a Hac (0) jest amplitudą pola AC. Oznaczamy maksymalne i minimalne wartości H przez HA (=Hdc+Hac) i HB (=Hdc-Hac). Zgodnie z Modelem Kim-Andersona, przyjmuje się, że gęstość krytyczno-prądowa JC jest funkcją lokalnej wewnętrznej gęstości strumienia magnetycznego Bi, Jc(Bi)=k/(B0+‖Bi‖), gdzie k i B0 są stałymi. Rozważamy nieskończenie długi cylinder o promieniu a i przyłożonym polu wzdłuż osi cylindra. Pole pełnej penetracji wynosi Hp=/μ0. Pokrewnym parametrem jest H* = / μ0. Równania namagnesowania dla pętli pełnej histerezy są wyprowadzane dla trzech różnych zakresów HA: 0HA≤hp, Hp≤HA≤h* i H * ≤HA. Każdy z tych trzech przypadków jest dodatkowo klasyfikowany dla kilku zakresów HB. Aby opisać całkowicie zstępujące i wznoszące gałęzie pełnej pętli histerezy dla wszystkich przypadków, rozważa się 58 stopni H i wyprowadza odpowiednie równania namagnesowania. Oprócz tych równań dla cylindra przedstawiono odpowiednie równania dla Płyty. Porównanie z poprzednimi pracami Ji et al. i przez Chen i Goldfarb w odpowiednich granicach wspiera Ważność obecnego wyprowadzenia.
- otrzymane 4 maja 1992
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.47.915
